儀器介紹

     Plasma2000型電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀ICP-OES采用中階梯光柵光學(xué)結(jié)構(gòu)和科研級CCD檢測器實(shí)現(xiàn)全譜采集。儀器穩(wěn)定性好、檢測限低、快速分析、運(yùn)行成本低。

     Plasma2000型電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀ICP-OES可用于地質(zhì)、冶金、稀土及磁材料、環(huán)境、醫(yī)藥衛(wèi)生、生物、海洋、石油、化工新型材料、農(nóng)業(yè)、食品商檢、水質(zhì)等各領(lǐng)域及學(xué)科的樣品分析。可以快速、準(zhǔn)確地檢測從微量到常量約70種元素。

1、 中階梯光柵與棱鏡交叉色散結(jié)構(gòu)，徑向觀測，具有穩(wěn)健的檢測能力。

2、 高效穩(wěn)定的固態(tài)射頻發(fā)生器，體積小巧，匹配速度快，確保儀器的高精度運(yùn)行及優(yōu)異的長期穩(wěn)定性。

3、 高速面陣CCD采集技術(shù)，單次曝光獲取全部譜線信息，真正實(shí)現(xiàn)“全譜直讀"。

4、 功能強(qiáng)大的軟件系統(tǒng)，簡化分析方法的開發(fā)過程，為用戶量身打造簡潔、舒適的操作體驗(yàn)。

技術(shù)參數(shù)

1. 光學(xué)系統(tǒng)：中階梯二維分光光學(xué)系統(tǒng)，焦距400mm

2. 譜線范圍：165nm~950nm，光學(xué)分辨率：0.007nm（200nm處）

3. 光柵規(guī)格：中階梯光柵，52.67刻線/毫米，尺寸：100mm x 50mm

4. 晶體管固態(tài)射頻發(fā)生器，小巧高效

5. 27.12MHz頻率提高信噪比，改善了檢出限

6. 自動(dòng)匹配調(diào)節(jié)

7. 全組裝式炬管，降低了維護(hù)成本

8. 計(jì)算機(jī)控制可變速12滾軸四通道蠕動(dòng)泵，具有快速清洗功能

9. 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)穩(wěn)定性良好：重復(fù)性 RSD ≤0.5% (1mg/L) （n=10）；穩(wěn)定性：RSD ≤1.0%（大于3小時(shí)）

儀器特點(diǎn)

穩(wěn)健高效的全固態(tài)光源

     全固態(tài)射頻發(fā)生器，體積小、效率高，全自動(dòng)負(fù)載匹配，速度快、精度高，能適應(yīng)各種復(fù)雜基體樣品及揮發(fā)性有機(jī)溶劑的測試，具有優(yōu)異的長期穩(wěn)定性。

     垂直炬管的設(shè)計(jì)，具有更好的樣品耐受性，減少了清潔需求，降低了備用炬管的消耗。

     簡潔的炬管安裝定位設(shè)計(jì)，快速定位，精確的位置重現(xiàn)。

     實(shí)時(shí)監(jiān)控儀器運(yùn)行參數(shù)，高性能CAN工業(yè)現(xiàn)場總線，保障通訊高效可靠。

精密的光學(xué)系統(tǒng)

     中階梯光柵與棱鏡交叉色散結(jié)構(gòu)，使用超純SiO2棱鏡，高光路傳輸效率，保證了深紫外區(qū)的元素測量。

     優(yōu)化的光學(xué)設(shè)計(jì)，采用非球面光學(xué)元件，改善成像質(zhì)量，提高光譜采集效率。

     光室多點(diǎn)充氣技術(shù)，縮短光室充氣時(shí)間，提高紫外光譜靈敏度及穩(wěn)定性，開機(jī)即可測量。

     光室氣路獨(dú)立，可充氮?dú)饣驓鍤狻?/span>

     包圍式立體控溫系統(tǒng)，保障光學(xué)系統(tǒng)長期穩(wěn)定無漂移。

進(jìn)樣系統(tǒng)

     儀器配備系列經(jīng)過優(yōu)化的進(jìn)樣系統(tǒng)，可用于有機(jī)溶劑、高鹽/復(fù)雜基體樣品、含氫氟酸等樣品的測試。

     使用一體式炬管，易于維護(hù)，轉(zhuǎn)換快速，使用成本低。

     使用質(zhì)量流量控制器控制冷卻氣、輔助氣和載氣的流量，流量連續(xù)可調(diào)，保障測試性能長期穩(wěn)定。

     4通道12滾輪蠕動(dòng)泵，泵速連續(xù)可調(diào)，確保樣品導(dǎo)入穩(wěn)定性。

檢測器

     大面積背照式CCD檢測器, 全譜段響應(yīng)，高紫外量子化效率，抗飽和溢出

     具有極寬的動(dòng)態(tài)范圍和極快的信號處理速度

     一次曝光，完成全譜光譜信號的采集讀取，獲得更為快速、準(zhǔn)確的分析結(jié)果

     大靶面尺寸，百萬級像素，單像素面積24μm X 24μm

     三級半導(dǎo)體制冷,制冷溫度低于-35℃，具有更低的噪聲和更好的穩(wěn)定性